본 발명은 높은 필드 강화를 갖는 RIS와 통합된 완전 흡수 효과 원형 나노디스크 어레이에 관한 것으로, 제1 두께의 제1 금속 산화물층; 제2 두께의 제2 금속 산화물층; 상기 제1 금속 산화물층과 상기 제2 금속 산화물층 사이의 평면상에 일정한 간격으로 배치되는 복수의 패치 어레이들; 및 상기 제1 금속 산화물층상에 배치되는 나노디스크를 포함한다.